الجهد المضاعفة

[husseinadel]

مرحبا

أنا تصميم العازلة الناتج فدس ، ، يجب أن يكون مدخلا ليكون البديل من '0' إلى '3.3 ت' ، ولكن من المدخلات الأساسية للجيم قد تذبذب من '0' إلى '1.8' ، ، ولذا فإنني أعتقد أن استخدام مضاعفة الجهد لتحقيق هذا الهدف ، ولكن أريد أن لسرعة عالية جدا حوالي 1 جيجابايت في الثانية ، ، ، لذلك ، ، ، إذا كنت تستخدم الجهد المضاعفة ، يمكن العمل على هذا؟؟،،، سرعة الرجاء أريد أيضا أي أوراق أو الكتب أو المحاضرات التي تتحدث عن هذه المسائل بفضل الكثير ،،،،،،

تمنيات

حسين

 

[hermin]

أنا يمكن أن تشير إلى شيء بدلا من استخدام لتحويل التيار الكهربائي ، هل يمكن استخدام الترانزستور التي ستتحول في حين جهد 1.8V يتم تطبيقها ويبلغ حجم انتاجها من 3.3V ، التراسل الفوري ولكن ليس متأكدا مما اذا الترانزستور ستعمل في تلك السرعة ، وربما تحقق بعض صحائف البيانات بدلا من ذلك

 

[Guest]

[No message]

 

[Guest]

لن 1.8 الخامس سوينغ تكون كافية لتوجيه الحالية الى جانب واحد من زوج الفرق؟

 

[rfsystem]

منطق مستوى الجهد مترجم بسيط جدا :

فقد 2 NMOS.بوابة NMOS الثانية هي مدفوعة العاكس ترتبط مدخلات.العاكس متصلا VDD1.وتستنزف من NMOS 2 التغذية عبر PMOS يقترن الزوج.عبر اقتران يعني ربط البوابات والمصارف بالعرض.وقالت مصادر من PMOS ترتبط VDD2.النموذجية للمصارف من PMOS تدفع اثنين العاكسون متصلا VDD2.ان امدادات تكميلية منطق الإشارة.

البعد PMOS ينبغي أن يكون أقل قوة من 2 مرات NMOS أن يكون بسرعة كافية.البعد الدقيق سيتوقف على الوضع VDD1 لVDD2.

منطق مستوى الجهد المترجم يمكن أن يترجم إلى أعلى أو إلى أسفل.النموذجية التي هي stdcell أو العثور على IOcell.

 

[husseinadel]

rfsystem كتب :

منطق مستوى الجهد مترجم بسيط جدا :فقد 2 NMOS.
بوابة NMOS الثانية هي مدفوعة العاكس ترتبط مدخلات.
العاكس متصلا VDD1.
وتستنزف من NMOS 2 التغذية عبر PMOS يقترن الزوج.
عبر اقتران يعني ربط البوابات والمصارف بالعرض.
وقالت مصادر من PMOS ترتبط VDD2.
النموذجية للمصارف من PMOS تدفع اثنين العاكسون متصلا VDD2.
ان امدادات تكميلية منطق الإشارة.البعد PMOS ينبغي أن يكون أقل قوة من 2 مرات NMOS أن يكون بسرعة كافية.
البعد الدقيق سيتوقف على الوضع VDD1 لVDD2.منطق مستوى الجهد المترجم يمكن أن يترجم إلى أعلى أو إلى أسفل.
النموذجية التي هي stdcell أو العثور على IOcell.