يمكن لأحد أن يفسر هذه الشروط؟

[tension885]

مرحبا ،
بعض المصطلحات المستخدمة في الابتدائية سيموس
ف الركازة ، الركازة ن
قناة ن
ن المنطقة ع المنطقة

هنا يمكن لأحد أن يفسر هذه الشروط؟؟؟تعاريفها الأساسية والاختلاف؟<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_cry.gif" alt="يبكي" border="0" /><img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_cry.gif" alt="يبكي" border="0" />

 

[layoutmaster]

ف الركازة : عند البدء في عملية التجهيز من نوع ف السليكون

ن الركازة : بالضبط نفس الشيء ، ولكن مع ن نوع السيليكون

ن المنطقة / ف المنطقة : منطقة سيليكون مع المنشطات عالية من النيتروجين أو المواد ف (هذه المناطق هي التي تولدها difusión ن أو عناصر نوع ف حيز السيليكون.

ن القناة : وكما يشير الاسم هو قناة تشكلت تحت بوابة موس مرة واحدة في Vthreshold يتم التوصل إليه.القناة بإنشاء المسار الحالي بين موس ومصدر استنزاف.

 

[Guest]

[No message]

 

[vlsi_whiz]

اندماج بين أطراف متعددة العمليات الاستفادة من الركازة ، على قاعدة سي المواد التي من الطبقات التي تشكل الترانزستور تزرع.

and can be of "p" type
or "n" type
.

وتسمى هذه الطبقة التحتية

، ويمكن أن يكون من "ع" نوع
أو "ن" نوع.substrate we get a n-channel MOSFET (NMOS)
device and when we use a n-type
substrate we get a p-channel MOSFET (PMOS)
.

إذا أردنا استخدام نوع ف
الركازة نحصل على ن قناة موسفيت (NMOS)
الجهاز وعندما نستخدم ن نوع
الركازة نحصل على قناة ف موسفيت (PMOS).الى افتعال كل PMOS وNMOS على قالب واحد / الركازة ، ونحن استخدام نوع واحد فقط ، أي ف الركازة نوع.هنا عند المصدر والمناطق استنزاف ملفقة ، وحصلنا على الجهاز NMOS.الى افتعال PMOS ، وسوف نبذل ن في المنطقة ف الركازة ثم تلفيق وPMOS في ذلك.

عند افتعال الترانزستور موس ، وهناك 3 مناطق -- المصدر ، واستنزاف بوابة.بوابة يفصل بين المصدر ومناطق الصرف.عندما يتم تطبيق فرق الجهد عند البوابة لموس باستخدام ف الركازة (NMOS) ، قناة تتشكل بين المصدر والصرف.هذه القناة تتكون من الإلكترونات
، وبالتالي دعا ن القناة.إذا كانت قناة تتكون من الثقوب ، وسيكون يسمى ف قناة لPMOS الترانزستورات.

ن و ف هي من أعلى المناطق من المنشطات الطبيعية والمناطق ن ف.هذه المناطق تحتوي على أكثر الالكترونات (ن) والثقوب (ف) ويحمل طابعا مختلفا قليلا الكهربائية.هذه ن ف والمناطق التي تستخدم لصنع والمصدر ومناطق الصرف لNMOS وPMOS الترانزستورات.